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拆解报告：DJI大疆100W双USB-C氮化镓桌面充电器CDX265-100_我的网站

一 |     　　21世纪经济报道记者雷晨北京报道　　8月24日下午，小米在北京召开玄戒芯片技术沟通会，小米集团副总裁、新业务部负责人朱丹发布了三款自研芯片：AI旗舰SoC玄戒O3、高带宽AI加速芯片玄戒O100、智驾高算力AI芯片玄戒D100。

二 |     大疆100W桌面快充外观大疆这款100W桌面快充自带电源线，不过采用线体分离设计，可以灵活进行更换，适配地区更广。（图为朱丹 21世纪经济报道记者摄）　　这是2025年5月玄戒O1发布后，小米芯片业务第二次大规模对外亮相，也是玄戒第一次跳出手机SoC的单一品类。电源线两端分别为双脚美规和8字插头。测得电源线长度约为71cm。充电器机身方块造型，外壳磨砂抗指纹，正背面边缘均倒角处理。　　三款芯片的商业节奏已经排定。正面中心设计有DJI品牌。玄戒O3已开启规模量产，将于9月随折叠旗舰小米18 Fold首发上市；玄戒O100和D100已完成回片验证，明年正式商用。　　在存储涨价挤压毛利的周期里，小米发布三颗自研芯片，其芯片叙事有了清晰的商业指向。　　玄戒O3九月上机，朱丹喊话友商“比一比”　　玄戒O3是这场沟通会的主角，朱丹把近一半的演讲时间留给了它。背面印有产品参数型号：CDX265-100输入：100-240V~50/60Hz 2.5AUSB-C1/C2输出：5V3A、9V5A、12V5A、15V5A、20V5A、5-20V5AC1/C2：100W MaxC1/C2+C2/C1：82W+18W制造商：深圳欧陆通电子股份有限公司产品由深圳市大疆创新科技有限公司授权生产充电器通过了CCC、CE、UL、UKCA认证。

三 | 开场时，他先交代了玄戒的定位：为小米的人车家全生态打造AI算力底座。

四 | 　　2025年5月22日，小米发布自主研发设计的第一代旗舰芯片玄戒O1，它作为中国大陆首款3nm先进制程SoC，搭载在小米15S Pro和两款Pad7旗舰平板上，同步亮相的玄戒T1则让小米建立起Modem的全栈自研能力。机身一端设有8字输入插口，独立模块设计。另一端设有两个USB-C接口，接口边缘倒角亮面设计，并印有区别标识。

五 | 　　O3是这条产品线的第二代。这颗3nm芯片面积133平方毫米，集成240亿个晶体管，比玄戒O1多出26%。　　为此，玄戒团队把自主设计的标准单元从480个扩到2400多个，并全面采用沟道消除技术，晶体管密度再提5%。　　小米实验室数据显示，玄戒O3的安兔兔综合跑分达到5228014，是行业首个突破500万分的移动旗舰平台。　　朱丹在现场表示：“现在整个安卓阵营旗舰最高分也就在460万。测得机身长度为73.67mm。宽度为70.12mm。厚度为32.37mm。和苹果96W充电器对比，整体小一圈。”玄戒O1发布时的安兔兔跑分约为350万分。充电器拿在手上的大小直观感受。另外测得其重量约为278g。使用ChargerLAB POWER-Z KM002C测得USB-C1口支持FCP、SCP、AFC、QC3.0、PD3.0、PPS、QC5、Apple2.4A、Samsung 5V2A充电协议。PDO报文显示C1口还具备5V3A、9V5A、12V5A、15V5A、20V5A五组固定电压档位，以及5-20V5A一组PPS电压档位。　　子系统层面，CPU采用十核全大核架构，最高主频4.35GHz，Geekbench 6多核跑分提升60%；GPU首发16核G2-Ultra NX图形处理器，传统图形性能提升85%，光追性能提升182%，同性能下功耗至多降低64%。（21世纪经济报道记者摄）　　“每一代相比上一代，GPU的综合指标大概提升20%到30%。”朱丹把O3的表现称为“跨代的升级”。　　能效是演讲的另一个重点。

六 | 他重申了玄戒O1发布时的判断，用户80%的使用场景集中在中低负载区间，这一代继续打磨该区间能效，日常场景功耗再降25%。　　玄戒团队还结合大数据分析发现，30%的日常卡顿卡在资源等待上，为此设计了一套覆盖软件与芯片两层的VIP保障机制，让关键任务在所有环节获得最高优先级。　　这套机制可以做到低至1毫秒的全局资源调度，高频使用场景的功耗收益基本在20%以上。存储子系统同步升级：片上缓存共计60MB，首发支持LPDDR6内存，带宽113.8GB/s，提升48%；自研统一融合总线架构把访存时延压到82纳秒，处于行业领先水平。　　AI是玄戒O3定位变化的关键。测得USB-C2口兼容协议和C1口的一样。PDO报文也一样，即两个接口单口输出性能一样，支持功率盲插。这颗小米首款AI旗舰SoC在CPU、GPU、ISP等主要模块中全部内嵌AI计算单元，NPU为大语言模型深度优化，张量算力200TOPS，矢量算力3.13TFLOPS。　　小米芯片团队与小米MiMo大模型团队联合定制了5值量化模型，配合硬件无损压缩，内存带宽节省30%，端侧推理速度比主流旗舰SoC快45%，功耗降低26%。

七 | 大疆100W桌面快充拆解看完了大疆这款100W充电器的外观和测试，下面就进行拆解，看看内部的设计和用料。沿外壳接缝拆开充电器外壳，内部PCBA模块采用纯铜片包裹散热，与外壳之间打胶固定并使用外壳散热。纯铜散热片通过卡扣固定成为一个整体，包裹PCBA模块。　　影像、安全与基带也随平台换代，其中安全模块首次采用自研RISC-V安全核心，获国密与CCRC EAL5+认证。

八 | 　　参数之外，出货量是检验自研芯片的另一道关口。卢伟冰在二季度财报电话会上披露，玄戒O1规模化验证出货已突破100万颗，O3的出货载体已经明确。　　今年9月是旗舰芯片的密集发布窗口，高通、联发科的新一代旗舰平台都将登场，玄戒O3随小米18 Fold上市时正值这场正面对决。　　朱丹表示：“我们其实也非常有信心和2026年的旗舰来比一比。电源输入插座通过导线焊接连接到PCBA模块上。”　　一颗攻内存墙，一颗上智驾　　如果说玄戒O3是对既有产品线的迭代，玄戒O100和D100则分别进军小米另外两个热门赛道。散热片内部通过麦拉片与PCBA模块绝缘。　　玄戒O100要解决的是“内存墙”：AI算力指数级增长，内存带宽却远远跟不上，朱丹在现场解释，哪怕是最新的LPDDR6，也只有96根数据IO。

九 | 散热片通过焊接连接到PCBA模块。使用游标卡尺测得PCBA模块长度约为67.9mm。　　其方案是把两层DRAM晶圆和一层NPU计算晶圆垂直堆叠，以Hybrid Bonding混合键合替代传统微凸点，把键合间距压到1.4微米，DRAM数据连线达到28672根，带宽1.22TB/s，是主流旗舰手机内存带宽的16倍，端侧大模型推理速度最高可达330Token/s。PCBA模块宽度约为64.32mm。

十 | 　　这款行业首颗6nm 3D晶圆级堆叠AI加速芯片，内置14个大模型专用NPU核心，通过小米自研的高带宽矩阵总线协同计算，仅金属层直连架构一项技术就申请了15项专利，4项发明专利已获授权。　　按照小米的规划，玄戒O100未来可用于手机、机器人、汽车等终端，与O3组成端侧AI双芯方案，让设备在弱网甚至无网环境下仍能快速响应AI需求。　　本次小米发布的第三颗芯片玄戒D100，主要面向智能驾驶，是国内首款3nm智驾芯片，集成20核高性能CPU和16核高算力NPU，单芯片最高支持160GB统一内存，最大可在本地部署超200B参数量的大模型，省掉云端API调用成本，也从物理层面规避隐私数据外泄。　　二季度财报中，小米“其他相关业务”收入10亿元，增量来源之一就是Xiaomi MiMo大模型系列的AI业务收入，芯片与大模型的软硬协同已经开始在报表里留下痕迹。　　品类扩张背后是一本投入账。雷军的公众号在沟通会后发文披露，小米重启大芯片研发已经五年多，累计投入研发经费超过210亿元，芯片团队有近3000人的专家队伍。PCBA模块厚度约为27.61mm。拆下PCBA模块两面的纯铜散热片，散热片内部粘贴胶带绝缘，PCBA模块包裹麦拉片绝缘。　　把这笔账放进小米的整体报表看，二季度小米研发开支92亿元，同比增长18.9%；上半年研发投入182亿元，同比增长25.6%。正面元件打黑色导热胶固定及散热，输出降压小板与高压元件之间插入一片麦拉片绝缘。

十一 | 背面也涂有导热胶为发热元件散热。　　投入的商业回报逻辑，在存储涨价的背景下变得更直接。交流输入导线冷压端子焊接，外套热缩管绝缘。二季度小米智能手机收入421亿元，全球平均售价1351元，创历史新高，卢伟冰将这一策略概括为“控量提价”。　　旗舰机型换用自研SoC，一方面减少对第三方旗舰平台的采购依赖，另一方面给高端定价提供硬件差异化支撑。PCBA模块正面一览，其中右上角为输入滤波器件，右侧下方为PFC升压电感，在升压电感下方为高压滤波电容，左侧为LLC变压器，在变压器与高压滤波电容之间是谐振电感。下方为降压小板，焊接降压电路和USB-C母座。PCBA模块背面焊接一颗PFC+LLC二合一控制器，PFC开关管，PFC整流管，LLC开关管和次级同步整流电路。

十二 | 　　对小米汽车而言，逻辑同样成立：二季度智能电动汽车收入239亿元，交付新车104199辆，智驾算力平台一旦自研，供应节奏和成本结构就握在自己手里。

十三 | （文章来源：21世纪经济报道）。

十四 | 电源模块固定电压输出，为二次降压小板供电。通过对充电器PCBA模块的观察，大疆100W充电器采用PFC+LLC开关电源架构，采用NXP恩智浦电源方案，PFC电路使用镓未来氮化镓开关管，下面我们就从输入端开始，了解各个器件的信息。

十五 | 电源输入端一览，焊接滤波电路，整流桥，EMI滤波电路，NTC热敏电阻和保险丝。输入端保险丝规格为5A 250V。第一级共模电感采用绝缘线和漆包线绕制，底部固定绝缘支架。安规X2电容来自SCC实全电子，规格为0.33μF。NTC热敏电阻串联在电路中，用于抑制上电时的浪涌电流。第二级共模电感采用铜带绕制，底部焊接绝缘支架，并缠绕胶带绝缘。

十六 | 整流桥固定一片纯铜散热片用于散热。

十七 | 侧面焊接降压小板，高压滤波电容，PFC升压电感和滤波电容及滤波电感。整流桥输出的脉动直流电通过薄膜电容与磁环电感组成的滤波电路滤波。两颗薄膜电容规格均为0.47μF 400V。

十八 | 磁环电感采用胶带缠绕绝缘。

十九 | 充电器初级PWM主控芯片采用NXP恩智浦TEA2016AAT，一颗芯片内置LLC控制器和PFC控制器，内置数字架构控制，简化了设计的同时减少外围元件数量，芯片内置多重完善的保护功能，集成度非常高。

| 为主控芯片供电的电解电容规格为47μF 50V。

| PFC升压开关管来自镓未来，型号为G1N65R240PB，是一颗耐压650V的氮化镓功率器件，标称导阻240mΩ，栅极耐压支持±18V，可使用传统硅MOS驱动，相比增强型氮化镓，大大简化栅极驱动电路设计。镓未来G1N65R240PB规格资料。充电头网了解到，镓未来氮化镓功率器件此前已被铁甲65W氮化镓无线智能充电器、绿巨能65W三口氮化镓快充充电器 、悦米65W 1A1C氮化镓快充充电器、唯沃丰65W 2C1A氮化镓快充充电器等产品采用。用于检测PFC开关电流的取样电阻，采用2512封装，阻值为75mΩ。PFC升压电感采用ATQ24磁芯。

| PFC升压开关管来自瑞能，型号BYV29D-600P，是一颗超快恢复二极管，耐压600V，正向电流9A，采用TO252封装。高压滤波电解电容来自Chengx承兴，其中三颗规格为18μF420V。另外一颗规格为27μF420V，总容量为81μF。LLC开关管来自东微，型号OSG65R360GEF，是一颗耐压700V的NMOS，导阻为360mΩ，采用DFN5*6封装。另一颗开关管型号相同，两颗组成半桥。谐振电容规格为0.033μF 630V。谐振电感采用ATQ17磁芯。变压器采用ATQ2716磁芯，缠绕高温胶带绝缘。贴片Y电容来自禾伸堂，两颗串联提高耐压等级，三组串联共使用六颗。CT1018光耦用于输出电压反馈。次级同步整流控制器采用恩智浦TEA1995T，其内置两个驱动器用于LLC架构开关电源的同步整流，外围元件精简。同步整流管来自维安，型号WMB060N06L，是一颗耐压80V的NMOS，导阻4.3mΩ，采用PDFN5060封装。另一颗同步整流管型号相同。

| 输出滤波固态电容规格为1000μF 25V。输出侧小板焊接两路降压电路用于双口输出。

| 输出滤波电感采用磁环绕制，底部胶水固定电木板绝缘。USB-C降压小板正面特写，焊接两颗降压电感以及四颗输出滤波电容。

| USB-C降压小板背面特写，焊接一颗协议芯片，两颗降压控制器，降压开关管和VBUS开关管。协议芯片采用英集芯IP2738，两个接口输出均由其控制。IP2738是一颗双路协议芯片，支持双口18-140W快充应用，具备独立的反馈控制，具备独立的USB PD控制，相当于两颗IP2736整合到一颗芯片内部，快充规格与IP2736相同。支持USB PD3.1 28V EPR档位，并支持PD3.0/PPS等丰富全面的快充协议，兼容性非常好。英集芯IP2738内置四路独立的NMOS驱动，可用于多个接口输出控制，控制多个VBUS开关管进行输出端口切换以及两路电源并联控制，并且支持双路独立的过流、过压以及短路保护，确保使用安全。充电头网了解到，英集芯IP2738此前已被麦多多40W双USB-C氮化镓充电器、爱兰博140W 2C1A氮化镓充电器、安克65W 2C1A二合一氮化镓超极充、绿联140W 2C1A氮化镓充电器，英集芯的其它系列快充芯片已被小米、华为、三星等大品牌的产品使用，性能质量获得客户的高度认可。

| 英集芯IP6550同步降压控制器支持5A输出电流，内置的同步降压控制器开关频率固定135kHz。

| 可用于两路USB-A口，也可作为单路降压使用，输出电压可调满足更多场合应用。IP6550内置输入过压、欠压保护，内置输出过流、过压、欠压及短路保护，芯片内部集成过热保护，并支持EN控制开关。

| IP6550可用于车载充电器、多口适配器、智能插排、支持USB-C接口的插排以及行车记录仪应用。同步整流降压具有高转换效率，高输出电流可用于多口5V输出，搭配PD协议芯片可实现宽范围电压调节，满足USB PD3.1的应用。用于二次降压和VBUS开关管均丝印B3006，为NMOS管，左侧两颗为输出VBUS开关管，右侧两颗由IP6550控制进行同步降压。另外一颗输出口同样采用IP6550进行降压控制。降压开关管与VBUS开关管型号相同。全部拆解完毕，来张全家福。

| 充电头网拆解总结大疆这款双口氮化镓充电器采用分体线缆设计，有效适配不同长度应用。充电器具备100W输出功率，支持单口100W输出，双口均支持100W输出功率。实际测试充电器支持5-20V 5A PPS快充，可以满足手机和笔记本电脑的充电需求。

| 充电头网通过拆解了解到，大疆这款100W氮化镓充电器采用PFC+LLC+DC-DC的架构设计，PFC使用镓未来氮化镓功率芯片配合瑞能二极管整流，LLC采用两颗东微的MOS管组成半桥。输出使用两颗维安的低压MOS管用于同步整流，电源初级主控芯片和同步整流控制器均来自NXP恩智浦。开关电源采用固定电压输出，输出采用二次降压电路，由英集芯IP2738协议芯片控制两路IP6550同步降压控制器进行降压输出，满足两路独立的快充输出。充电器内部电解电容来自承兴，输出全部使用固态电容，纹波更低，寿命更长。

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